方正微电子车规/工规SiC MOS 1200V全系产品重磅发布

2024年10月16日，在首届“湾芯展SEMiBAY——湾区半导体产业生态博览会”开幕式上，深圳方正微电子有限公司副总裁/产品总经理彭建华做了车规/工规SiC MOS 1200V全系产品发布。

发布会上，彭建华指出，中国新能源产业取得了辉煌成绩，已占据全球主要产销份额，尤其是新能源汽车超预期增长。但新能源汽车用的SiC功率芯片市场，主要由国际厂商占据。在车规SiC MOS芯片应用领域，中国“芯”力量刚刚起步。面对中国新能源产业的核“芯”供应格局现状，实现国产高性能高可靠性车规SiC功率芯片的制造突围，成为中国碳化硅功率芯片制造商要攻克的重要难题。

方正微电子自2021年深圳重大产业投资集团入主以来，责任在肩，勇担使命，三年磨一剑，潜心研发车规SiC MOS 1200V全系产品，产品覆盖1200V 16m/18m/20m/35m/60m/85mΩ规格系列及各种常用封装型号。

方正微电子系列产品覆盖了新能源汽车应用的全场景：1200V 16m/18m/20mΩ应用于主驱逆变控制器，1200V 35m/60m/85mΩ应用于OBC，1200V 60m/85mΩ应用于DC/DC，1200V 60m/85mΩ应用于空调压缩机，1200V 16m/20m/35m/60mΩ应用于充电桩等场景。方正微电子车规1200V SiC MOS产品已经规模应用，特别是在新能源汽车主驱控制器上规模上车。

当前已建成车规SiC MOS产能，中国第一

方正微电子作为第三代半导体领域的IDM企业，当前有两个fab。Fab1 当前已实现SiC产能9000片/月（6英寸），预计2024年底产能将达到1.4万片/月，2025年将具备16.8万片/年车规SiC MOS生产能力，GaN当前产能4000片/月。Fab2的8英寸SiC生产线将于2024年底通线，长远规划产能6万片/月。方正微电子当前已建成的车规SiC MOS生产能力，中国第一。

车规SiC MOS 1200V全系产品的性能已达到国际当前主流芯片水平。以1200V/16mΩ及1200V/20mΩ主驱控制器应用芯片为例，其Vgs/Rds/Igs/Idss/Rth/Qg等核心性能关键指标，可媲美当前高端新能源车上应用的国际同行SiC MOS产品，个别指标领先，完全符合新能源汽车应用需求。

行业第一个通过车规3000小时可靠性测试，3倍于行业车规认证要求（>1000小时）

方正微电子SiC MOS系列产品全部获得AEC-Q101认证。在此基础上，进一步对产品加严可靠性要求。车规SiC系列产品行业第一个通过3000小时加严可靠性测试，测试时长3倍于行业车规认证要求（车规认证要求 >1000小时）。产品质量获得客户的高度认可，目前是国内某高端客户测试认证通过的唯一国产主驱控制器应用SiC MOS产品。

SiC工规系列产品早已规模量产。方正微电子出货总量，位列国产第一梯队

方正微电子工规 SiC MOS/ SiC SBD 1200V系列产品早已于2023年一季度开始大规模量产，广泛应用在光伏、储能、充电、UPS、工业电源等领域，目前已出货SiC晶圆超4万片。领先行业的工艺制造能力、齐备的全系列产品品类、持续精进的产品性能助力方正微电子进入国产SiC芯片第一梯队。

除SiC功率器件外，方正微电子开发的GaN系列功率器件产品已经应用于消费快充、PC电源、服务器电源等场景。

原文始发于微信公众号（深圳方正微电子有限公司）：方正微电子车规/工规SiC MOS 1200V全系产品重磅发布