（左）用于xEV的SiC-MOSFET晶圆（示意图）
（右）用于xEV的SiC-MOSFET裸片布局（出货样品示意图）
2024年11月12日三菱电机集团宣布，将于11月14日开始提供用于电动汽车（EV）、插电式混合动力汽车（PHEV）和其他电动汽车（xEV）电驱逆变器的碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）裸片样品。这是三菱电机首款标准规格的SiC-MOSFET功率半导体芯片，将助力公司应对xEV逆变器的多样化需求，并推动xEV的日益普及。这款用于xEV的新型SiC-MOSFET裸片结合了特有的芯片结构和制造技术，有助于提升逆变器性能、延长续航里程和提高xEV的能源效率，为脱碳目标做出贡献。
功率半导体，作为促进全球脱碳的关键器件，能够高效转换电力，需求日益增多。特别是在汽车行业，车辆电动化能减少温室气体排放，推动了用于电机驱动逆变器和其他功率转换设备的多样化功率半导体的需求。其中，碳化硅（SiC）功率半导体因其能显著降低功率损耗而备受期待。三菱电机于1997年开始量产用于xEV的功率半导体模块，为提高包括热循环耐性在内的可靠性和解决逆变器小型化问题做出了贡献，并已应用于各种电动汽车（EV）和混合动力电动汽车（HEV）。2024年3月，该公司开始供应J3系列xEV功率半导体样品，该系列产品采用最新压注模（T-PM）技术实现小型化设计，在汽车市场得到广泛应用。
三菱电机的新型功率半导体芯片是一种特有的沟槽栅*SiC-MOSFET，与传统的平面栅**SiC-MOSFET相比，其功率损耗降低了约50%。特有的制造技术，如抑制功率损耗和导通电阻波动的栅极氧化膜工艺，让新款芯片更加耐久稳定，有助于提高逆变器的耐用性和xEV性能。
未来，三菱电机将继续致力于提供高品质、低功率损耗的SiC-MOSFET裸片，让高性能xEV更加普及，从而为构建一个更加低碳的世界做出贡献。
特有的沟槽栅SiC-MOSFET延长了xEV的续航里程并降低了电力成本 采用了三菱电机在制造Si功率半导体芯片过程中积累的先进小型化技术，与传统的平面栅SiC-MOSFET相比，导通电阻更低。 采用倾斜离子注入替代传统的垂直离子注入，降低了开关损耗。 与传统的平面栅SiC-MOSFET相比，功率损耗降低了约50%，从而提高了逆变器性能，延长了xEV的续航里程，并降低了电力成本。 特有制造技术助力提升xEV性能 三菱电机采用独特的制造技术，生产沟槽栅SiC-MOSFET，这项技术是三菱电机在20多年平面栅SiC-MOSFET和SiC肖特基势垒二极管（SBD）的研究和制造中总结出来的。如三菱电机特有的栅极氧化膜工艺，抑制了由重复开关引起的功率损耗和导通电阻波动，让逆变器更加耐用，xEV性能更加稳定。
型号 WF0009Q-1200AA WF0008Q-0750AA 应用 xEV 额定电压 1200V 750V 导通电阻 9.0mΩ 7.8mΩ 正面电极 兼容焊料键合 背面电极 兼容焊料键合和银烧结键合 样品价格 依据报价 样品开始提供日期 2024年11月14日 环保意识 本产品符合RoHS***指令2011/65/EU和（EU）2015/863。
有关功率器件的更多信息，请访问www.MitsubishiElectric.com/semiconductors/powerdevices/
*沟槽栅：在晶圆表面挖出沟槽（trench），并将栅极嵌入其中 ** 平面栅：栅极放置在晶圆表面 ***Restriction of the Use of Certain Hazardous Substances in Electrical and Electronic Equipment 原文始发于微信公众号（三菱电机半导体）：【新品】三菱电机开始提供用于xEV的SiC-MOSFET裸片样品
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