资金使 GF 更接近于大规模生产用于射频和大功率应用的下一代氮化镓芯片 氮化镓芯片的大规模生产。
佛蒙特州埃塞克斯交界（ESSEX JUNCTION ），2024年12月4日-- GlobalFoundries（纳斯达克股票代码：GFS）（以下简称 "GF"）又从美国政府获得了950万美元的联邦资助，用于推进GF位于佛蒙特州埃塞克斯交界的工厂的硅基氮化镓（GaN）半导体的生产。这笔资金使 GF 更接近大规模生产氮化镓芯片。氮化镓芯片技术能够承受高电压和高温，对于实现汽车、数据中心、物联网、航空航天和国防等一系列射频和大功率控制应用的更高性能和更高能效至关重要。
获得该奖项后，GF 将继续为其市场领先的氮化镓 IP 产品组合和可靠性测试增加新的工具、设备和原型开发能力，公司将更接近在佛蒙特州全面制造其 200mm 氮化镓芯片。GF 致力于为客户创造一条快速高效的途径，以实现新的创新设计和产品，充分利用氮化镓芯片技术独特的效率和电源管理优势。
"GF为其在氮化镓芯片技术领域的领先地位感到自豪，该技术的定位是在多个终端市场取得改变游戏规则的进步，并使新一代设备具有更节能的射频性能和充电更快、寿命更长的电池，"GF物联网和航空航天与国防副总裁Nicholas Sergeant说。"我们感谢美国政府对我们氮化镓项目的合作和持续支持。对于我们的商业和政府合作伙伴来说，实现全面的氮化镓芯片制造将成为创新的催化剂，并将增加半导体供应链的弹性和实力。
这笔新资金由美国国防部可信接入项目办公室（TAPO）提供，是联邦政府为支持 GF 在佛蒙特州的氮化镓项目而投入的最新资金。
"对关键技术的战略投资加强了我们的国内生态系统和国家安全，并确保这些资产随时可供国防部安全使用。通过与主要合作伙伴的合作，这种方法强化了国防系统，增强了复原力和反应能力，"国防微电子活动主任尼古拉斯-马丁博士（Dr. Nicholas Martin）说。
自 2020 年以来，包括这项新奖励在内，GF 总共从美国政府获得了 8000 多万美元，用于支持研究、开发和进步，为全面制造氮化镓芯片铺平道路。
佛蒙特州是美国认可的可信代工厂，也是 GF 氮化镓项目的全球中心，在 200mm 半导体制造领域长期处于领先地位。2024 年 7 月，GF 收购了 Tagore Technology 的氮化镓功率产品组合，并在印度加尔各答创建了 GF 加尔各答功率中心。该中心与 GF 位于佛蒙特州的工厂密切配合并为其提供支持，有助于推动 GF 在氮化镓芯片制造领域的研发和领先地位。
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