烁科晶体成功研制12英寸(300mm)高纯半绝缘SiC衬底

12月31日,据“中国电子材料行业协会”消息,中电科半导体材料有限公司所属山西烁科晶体有限公司近日成功研制出12英寸(300mm)高纯半绝缘碳化硅单晶衬底,并同期研制成功12英寸(300mm)N型碳化硅单晶衬底。

烁科晶体成功研制12英寸(300mm)高纯半绝缘SiC衬底

烁科晶体一直坚持聚焦碳化硅材料研发及生产,开拓碳化硅材料更广阔的应用场景。先后攻克了大尺寸扩径工艺、高纯半绝缘碳化硅衬底关键工艺和低缺陷N型衬底的生长工艺。全球首片12英寸高纯半绝缘碳化硅衬底的成功研制,将加速碳化硅材料在VR眼镜、热沉等新应用场景的进一步拓展。

未来,烁科晶体将继续聚焦大尺寸碳化硅单晶衬底的产业化技术,持续加大研发投入,充分发挥技术创新引领作用,打造核心竞争优势,从而带动创新链、产业链、生态链的创新与重构,引领行业向更高端化方向发展。

来源:中国电子材料行业协会,文章仅供参考,如涉及到侵权等问题,请联系小编删除

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The 4th Power Semiconductor Industry Forum 2025
The 4th Power Semiconductor Devices Industry Forum
Si SiC GaN
June 13, 2025

Hotel Nikko Suzhou

一、会议议题


序号
Provisional agenda
To invite
1
车规功率半导体器件应用现状与趋势 
拟邀请模块/汽车企业/高校研究所
2
碳化硅(SiC)在新能源汽车电机驱动系统中的应用
拟邀请模块/汽车企业/高校研究所
3
电动汽车电机控制器的发展 
拟邀请模块/汽车企业/高校研究所
4
面向光伏储能系统应用的功率模块
拟邀请模块/光伏储能企业/高校研究所
5
IPM 智能功率模块的设计与应用
拟邀请IPM企业/高校研究所
6
氧化镓(GaN)功率器件的研究进展
拟邀请GaN企业/汽车企业/高校研究所
7
氮化镓功率器件在汽车领域的机遇
拟邀请GaN企业/高校研究所
8
沟槽型SiC MOSEET器件研制及应用进展
拟邀请SiC企业/高校研究所
9
高功率密度SiC功率模块设计与开发
拟邀请SiC模块企业/高校研究所
10
碳化硅(SiC)功率模块关键技术研究
拟邀请SiC模块企业/高校研究所
11
IGBT器件新结构研究
拟邀请IGBT企业/高校研究所
12
车规级功率器件的封装技术及可靠性研究进展
拟邀请模块企业/高校研究所
13
功率模块焊接工艺技术进展
拟邀请工艺/模块企业/高校研究所
14
碳化硅功率模块大面积银烧结工艺技术进展
拟邀请材料/模块企业/高校研究所
15
高性能功率模块铜互联技术研究进展
拟邀请材料/模块企业/高校研究所
16
功率半导体器件高效热管理技术研究进展
拟邀请热管理企业/高校研究所
17
功率模块用AMB氮化硅陶瓷覆铜基板
拟邀请载板企业/高校研究所
18
功率端子超声焊接工艺技术
拟邀请超声技术企业/高校研究所
19
功率半导体模块的无损检测解决方案
拟邀请检测企业/高校研究所
20
功率半导体器件自动化生产解决方案
拟邀请自动化企业/高校研究所
更多相关议题征集中,演讲及赞助请联系张小姐:13418617872 (同微信)

二、报名方式

收费标准

付款时间
1-2个人
3个人及以上
2025年4月13日前
2600/人
2500/人
2025年5月13日前
2700/人
2600/人
2025年6月13日前
2800/人
2700/人
现场付款
3000/人
2800/人

★费用包括会议门票、全套会议资料、午餐、茶歇,晚宴等,但不包括住宿;

★可通过艾邦预订会议酒店,团队协议价480元/间/晚,大床/标间可选。

联系方式

方式一:请加微信并发名片报名
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Elaine 张:134 1861 7872(同微信)
方式二:长按二维码扫码在线登记报名
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或者复制网址到浏览器后,微信注册报名:
https://www.aibang360.com/m/100230?ref=172672

原文始发于微信公众号(艾邦半导体网):烁科晶体成功研制12英寸(300mm)高纯半绝缘SiC衬底

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