（一）
半导体刻蚀设备部件耐刻蚀性要求高
随着刻蚀气体中含氟等离子体能量的提高，高能含氟等离子体会侵蚀腔体和腔体内部件，缩短部件的使用寿命；同时腐蚀过程中会生成难挥发的氟化物沉积在晶圆表面，同时也增加了晶圆的污染。随着半导体晶体管尺寸急剧减小和卤素类等离子体能量增高，要求等离子刻蚀机的刻蚀腔体在晶圆刻蚀的时候需要保持越来越高的洁净度，而刻蚀腔体内表面部件材料被等离子刻蚀形成的固体颗粒物是腔体主要污染物，并且由于腔体内表面部件材料被刻蚀，导致刻蚀机的核心部件刻蚀腔体寿命和可靠性大大被降低，因此，对刻蚀设备中内表面部件材料耐刻蚀性要求也越发重要。艾邦建有半导体陶瓷产业微信群，欢迎扫描下方二维码，添加管理员微信，即可加入。
（二）
氧化钇兼具热学稳定性和抗等离子特性
来源：
1.《耐等离子体刻蚀钇基复合陶瓷的制备及其性能研究》，谭毅成.
2.《半导体干刻蚀应用涂层粉末》——圣戈班陶瓷材料百科
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原文始发于微信公众号（陶瓷科技视野）：氧化钇涂层在半导体刻蚀设备的应用
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