功率半导体对助力碳中和具有重大意义，闻泰科技旗下安世半导体（Nexperia）作为全球知名的功率半导体IDM企业，通过推出大量低功耗功率半导体产品、采用低功耗工艺技术等方式助力碳中和。
安世半导体
安世半导体是半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家，其产品广泛应用于全球各类电子设计。公司丰富的产品组合包括二极管、双极性晶体管、ESD保护器件、MOSFET器件、GaN FET（氮化镓场效应晶体管）以及模拟IC和逻辑IC等，产品种类多达15000+。
面对碳中和对功率半导体所提出的提高能源转换效率等方面要求，安世半导体具有显著优势，其产品在工艺、尺寸、功率及性能等方面获得行业广泛认可，拥有先进的小尺寸封装技术，可有效节省功耗及空间。此外，安世半导体还在不断进一步提高工艺技术设计，如新型DHXQFN封装技术；并持续推出效率更佳、功率密度更高、电气特性更强的产品，如第三代半导体功率器件等。
安世半导体推出用于标准逻辑器件的全球最小且最薄的14、16、20和24引脚封装，其中如16引脚DHXQFN封装比行业标准DQFN16无引脚器件小45%。新封装不但比竞争产品管脚尺寸更小，而且还节省了25%的PCB面积，将大量逻辑功能整合到小尺寸系统中。
功率器件方面，安世半导体正在不断推出更加高效的第三代半导体功率器件，以助力碳中和。与基于硅的传统电力电子产品相比，碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）半导体在应用中具有更高的能源效率，从而对降低二氧化碳排放量有很大贡献。这些材料的特性决定了它们特别适用于电动汽车及其充电站、数据中心或太阳能和风力发电厂等可再生能源领域。
安世半导体已推出了系列GaN FET产品，主要面向汽车和物联网基础设施应用，提供合适的高可靠性产品，公司GaN工艺基于成熟可靠的量产工艺，是目前行业领先的功率GaN FET技术。安世半导体也在加速推动GaN技术应用于汽车电气化，帮助降低二氧化碳排放、减少功耗，打造更环保的未来，助力碳中和。
公司与著名的汽车工程咨询公司Ricardo建立合作伙伴关系，研究验证基于安世半导体GaN技术的电动汽车牵引逆变器，并与国内汽车行业主要供应商联合汽车电子有限公司在功率半导体GaN领域展开深度合作。此外，安世半导体还与上海电驱动公司联合研制了新能源汽车GaN功率组件及电机控制器，这是中国首款满足量产级的GaN电机控制器。
此外，安世半导体研发推出的GaN器件也可应用于太阳能逆变器，尤其适合在单相光伏（PV）逆变器中使用。为提高利用太阳能的整体系统效率，很多工程师在太阳能逆变器设计中改用GaN FET。GaN FET不仅显著改善整体转换效率，有效降低光电转换成本（LCOE），还让用户能够更简单地构建体积更小、重量更轻、更可靠的逆变器。
除了高功率GaN器件外，安世半导体11月也推出了工业级650V、10A SiC肖特基二极管，正式进军高功率SiC二极管市场，该产品样品已开始供货。安世半导体也正在使用Aixtron的全自动AIX G5 WW C生产技术布局高性能SiC市场，Aixtron MOCVD设备已部署在安世半导体汉堡晶圆厂，采用G5 WWC技术进行SiC外延批量生产。
碳化硅（SiC）肖特基二极管。
安世将致力于第三代半导体前沿领域的研究与拓展，成为电动车用GaN器件的市场领导者，并将产品组合扩展到基于SiC的功率半导体器件。
安世半导体将继续为业界提供更高效、低功耗的功率半导体产品，切实践行碳中和，与合作伙伴们共同构建绿色供应链。
原文始发于微信公众号（闻泰科技）：安世半导体助力碳中和
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