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化合物半导体 深圳大学刘新科研究员团队研发出自支撑GaN衬底上的高性能常关型PGaN栅极HEMT 2022-10-12 gan, lanjie 近日,深圳大学材料学院刘新科研究员团队做出了自支撑GaN衬底…